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IBM全球首发2nm!3 33亿晶体管 mm²,性能比7nm芯片高45%5月7日报道,昨日,美国科技企业IBM发布全球首个2nm制程芯片制造技术。目前该技术
2021-05-07
人无远虑,必有近忧!近日,中美贸易摩擦再次升级成为众人关注的焦点。美方对中方的压制以及中方的抵制,“备胎芯片”全部转正让国人热血沸
2021-03-25
SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作在文章中,对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on) 关断( Turn-off)动作进行
2021-02-24
SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结
2021-02-01
升压型DC DC转换器的PCB布局此前介绍过的电路板布局是以“升压型DC DC转换器的电流路径”中的二极管整流(异步整流)升压型转换器为前提进
2021-01-17
何谓导通电阻?MOSFET工作(启动)时,漏极和源极间的阻值称为导通电阻 (RDS(ON))。数值越小,工作时的损耗(功率损耗)越小。关于导通
2020-12-04
何谓总栅极电荷(Qg)? "总栅极电荷(Qg)是指为导通(驱动)MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。 "单位为库仑(C)
2020-11-23
设计电路时,MOSFET热计算是必不可少的项目,尤其是对于处理大功率的功率元器件而言,不仅从工作寿命的角度看很重要,从安全性方面看也非常
2020-09-10
l关于负载开关ON时的浪涌电流l关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施l关于负载开关OFF时的逆电流关于负载开关ON时的浪涌电流负载
2020-06-30
l结点温度的计算方法1:根据周围温度(基本) l结点温度的计算方法2:根据周围温度(瞬态热阻) l结点温度的计算方法3:根据管壳温度 l
2020-05-12
作为半导体行业的细分领域,功率半导体的重要性不容忽视,而IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是新一代功率半导体器件的中流砥柱,被业内视为电力
2020-02-24
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。 栅极氧化膜针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠
2019-12-03
在电动汽车驱动控制器中,逆变器是实现能量交直流转化的关键部件,用于电机的驱动或制动时的能量回收。市场对于控制器的能量传输效率、功率
2019-10-20
最近一系列事件再次表明,制约中国芯片产业发展的主要因素已集中到制造能力。如何快速提升制造能力,推动芯片产业发展?只有不断地研发和创
2019-08-26
得益于苹果和安卓手机制造商,无线电源变得越来越普遍。但是,如果您曾经见过空气中的电气放电火花,您可能会担心这项技术的安全性。这个问
2019-05-24